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Samsung Electronics ha iniciado la producción en masa de la novena generación de memorias V-NAND. Los primeros troqueles basados en la última tecnología NAND tienen una capacidad de 1Tb y utilizan una arquitectura de celda de triple nivel (TLC), con velocidades de transferencia de datos de hasta 3,2 GT/s. La nueva memoria 3D TLC NAND se utilizará inicialmente para construir SSD de alta capacidad y alto rendimiento, lo que ayudará a consolidar la posición de Samsung en el mercado de almacenamiento. Yendo directo al grano, Samsung evita visiblemente enumerar el número de capas en la NAND de última generación, que es el principal factor impulsor del aumento de la capacidad generación tras generación. El V-NAND actual de octava generación de la compañía tiene 236 capas, similar a sus principales competidores, y se dice que el V-NAND de novena generación lo llevará a 290 capas, aunque esto aún está por confirmar. De todos modos, Samsung afirma que su memoria V-NAND de novena generación cuenta con una mejora de aproximadamente el 50 por ciento en la densidad de bits con respecto a su predecesora de octava generación. Detrás de estas mejoras, la compañía cita la miniaturización del tamaño de las celdas, así como la integración de tecnologías avanzadas de celdas de memoria que reducen las interferencias y extienden la vida útil de las mismas. Con su última tecnología NAND, Samsung también ha conseguido eliminar los agujeros de los canales ficticios, reduciendo así el área plana de las celdas de memoria. Es importante destacar que el anuncio de hoy también marca la primera vez que Samsung confirma públicamente el uso de apilamiento de cadenas en su NAND, llamándolo su «estructura de doble pila». Se cree ampliamente que la empresa también ha utilizado Sting Stacking en la NAND de octava generación, sin embargo, la empresa nunca lo ha confirmado. De todos modos, el uso del apilamiento de cadenas solo aumentará de ahora en adelante, ya que los proveedores buscan continuar agregando capas a sus matrices NAND, mientras que la variabilidad de fabricación y las tolerancias de los orificios de los canales dificultan la producción de más de 150 a 200 capas en una sola pila. Memoria flash Samsung V-NAND TLC de 9.ª generación Capas V-NAND de 8.ª generación 290? 236 Deck 2 (x145) 2 (x118) Capacidad de matriz 1 Tbit 1 Tbit Tamaño de matriz (mm2) ?mm2 ?mm2 Densidad (Gbit/mm2) ? ? Velocidad de E/S 3,2 GT/s (alternar 5.1) 2,4 GT/s (alternar 5.0) ¿Avión 6? 4 CuA / PuC Sí Sí Hablando de canal, otra mejora tecnológica clave en V-NAND de novena generación es la avanzada tecnología de «grabado de canal» de Samsung. Este proceso mejora la productividad de fabricación al permitir la creación simultánea de rutas electrónicas dentro de una estructura de doble pila. Este método es fundamental ya que permite una perforación eficiente a través de múltiples capas, lo cual es cada vez más importante a medida que se agregan capas de células. El último V-NAND también presenta la introducción de una interfaz flash NAND más rápida, Toggle DDR 5.1, que aumenta las tasas máximas de transferencia de datos en un 33 % a 3,2 GT/s, o casi 400 MB/s en un solo día. Además, según Samsung, el consumo de energía de la V-NAND de novena generación se ha reducido en un 10 por ciento. Aunque Samsung no indica en qué condiciones, presumiblemente se trata de isofrecuencia en lugar de frecuencia máxima. Al lanzamiento de Samsung del V-NAND TLC de 1TB le seguirá el lanzamiento de un modelo de celda de cuatro niveles (QLC) a finales de este año. «Estamos entusiasmados de ofrecer la primera V-NAND de novena generación de la industria, que avanzará a pasos agigantados en aplicaciones futuras», dijo SungHoi Hur, director de productos flash y tecnología de memoria de Samsung Electronics. “Para abordar las necesidades cambiantes de las soluciones flash NAND, Samsung ha superado los límites de la arquitectura celular y el esquema operativo de nuestros productos de próxima generación. A través de nuestra última V-NAND, Samsung continuará marcando la tendencia para las soluciones de alto rendimiento. mercado de unidades de estado sólido (SSD) de alta densidad que satisface las necesidades de la próxima generación de inteligencia artificial”.
