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Compartir en Facebook Compartir en Twitter Samsung presentó la memoria LPDDR5X con un ancho de banda de 10,7 Gbps, cuya producción en masa está prevista para la segunda mitad de este año. Se afirma que esta nueva memoria, diseñada a medida para PC, aceleradores, servidores y automóviles, es un 25% más rápida, proporciona un 30% más de capacidad y un 25% más de eficiencia energética que su predecesora. El uso de tecnología de proceso de 12 nm en la nueva memoria ha permitido a Samsung crear el módulo LPDDR más pequeño entre las soluciones actuales. Este avance aborda la creciente necesidad de chips de memoria de bajo consumo y alto rendimiento. Aunque está dirigido principalmente al mercado móvil, el vicepresidente ejecutivo de Samsung sugiere que también tendrá aplicaciones en servidores, automóviles y aceleradores, sin especificar dispositivos en particular. La nueva memoria saldrá al mercado con una velocidad de 10,7 Gbps y ofrecerá una capacidad máxima de 32 GB por módulo. Los dispositivos que requieren una gran cantidad de RAM, como los que se utilizan para la IA generativa, encontrarán beneficiosa esta capacidad, ya que facilitará el almacenamiento de modelos de IA. Esto será especialmente crucial para los sistemas que utilizan APU/NPU para IA generativa y carecen de una GPU discreta, ya que mayores capacidades de memoria pueden acomodar modelos más avanzados. Samsung también afirma una mejora del 25% en la eficiencia energética con respecto a la generación anterior, sin especificar si es LPDDR5 o LPDDR4. La compañía confirma que la producción en masa de la memoria LPDDR5X-10700 comenzará en la segunda mitad de este año, en línea con el esperado lanzamiento de SoC de próxima generación por parte de AMD e Intel. Fuente: Samsung
