QLC 3D NAND de alto rendimiento de Kioxia permite SSD de alta capacidad y gama alta

QLC 3D NAND de alto rendimiento de Kioxia permite SSD de alta capacidad y gama alta

Esta semana, Kioxia presentó sus nuevos dispositivos QLC 3D NAND destinados a unidades de alto rendimiento y alta capacidad que podrían redefinir lo que normalmente esperamos de los SSD basados ​​en QLC. Los componentes son circuitos integrados 3D QLC NAND de 1 Tb y 2 Tb con una velocidad de interfaz de 3600 MT/s que podrían habilitar SSD M.2-2230 con 4 TB de capacidad y un rendimiento decente. Los dispositivos 3D QLC NAND de 1 TB (128 MB) y 2 TB (256 TB) de Kioxia están fabricados con la tecnología de proceso BICS 8 de la compañía y cuentan con 238 capas activas, así como un diseño CMOS conectado directamente a la matriz (CBA), lo que implica que CMOS (incluyendo interfaz y buffer circuitos) se construye en un nodo especializado y se conecta a la matriz de memoria. Este proceso de fabricación permitió a Kioxia (y a su socio fabricante Western Digital) alcanzar una velocidad de interfaz particularmente alta de 3600 MT/s. Además de ser uno de los primeros dispositivos QLC NAND de 2 TB de la industria, el componente presenta una eficiencia de energía de escritura un 70% mayor que los dispositivos BICS 5 3D QLC NAND de Kioxia, lo cual es una afirmación un poco vaga ya que los nuevos circuitos integrados generalmente tienen mayor capacidad y actuación. Esta característica será valiosa para aplicaciones de centros de datos, aunque no espero que nadie use la memoria 3D QLC para aplicaciones de escritura intensiva en general. Sin embargo, estos dispositivos serán justo lo que el médico recetó para la IA: lectura intensiva, entrega de contenidos y almacenamiento de copias de seguridad. Curiosamente, el QLC 3D NAND de 1 TB con rendimiento optimizado de Kioxia tiene un rendimiento de escritura secuencial un 30 % más rápido y una latencia de lectura un 15 % menor que el componente QLC 3D de 2 TB. Estas cualidades (junto con una interfaz de 3600 MT/s) prometen hacer que el 3D QLC de 1Tb de Kioxia sea competitivo incluso para los SSD PCIe Gen5 x4 de alta gama, que actualmente utilizan exclusivamente memoria 3D TLC. La notable densidad de almacenamiento de los dispositivos 3D QLC NAND de 2 TB de Kioxia permitirá a los clientes crear SSD de alta capacidad en factores de forma compactos. Por ejemplo, se puede utilizar un paquete 16Hi apilado (que mide 11,5 mm x 13,5 mm x 1,5 mm) para construir una unidad M.2-2230 de 4 TB o una unidad M.2 -2280 de 16 TB. Incluso un solo paquete de 16 Hola podría ser suficiente para crear un cliente SSD particularmente rápido. Kioxia ahora está probando su memoria 3D QLC NAND BiCS 8 de 2 TB con clientes como Pure Storage. «Tenemos una relación de larga data con Kioxia y estamos entusiasmados de incorporar sus productos de memoria flash QLC BiCS Flash 2Tb de octava generación para mejorar el rendimiento y la eficiencia de nuestras soluciones de almacenamiento totalmente flash», dijo Charles Giancarlo, director ejecutivo de Pure Storage. “La plataforma unificada de almacenamiento de datos all-flash de Pure puede satisfacer las exigentes necesidades de la inteligencia artificial, así como los agresivos costos del almacenamiento de respaldo, impulsada por la tecnología Kioxia, Pure Storage continuará brindando rendimiento, eficiencia energética y confiabilidad inigualables, brindando un valor excepcional para los usuarios. «Nos complace enviar muestras de nuestro nuevo QLC de 2 TB con la nueva tecnología flash BiCS de octava generación», dijo Hideshi Miyajima, director de tecnología de Kioxia. «Con su alta densidad, velocidad de bits líder en la industria y transferencia de datos de alta velocidad. y una eficiencia energética superior, el producto QLC de 2TB ofrecerá un nuevo valor para aplicaciones de IA en rápida expansión y aplicaciones de almacenamiento de gran tamaño que requieren ahorros de energía y espacio. No se sabe cuándo se probará o lanzará al mercado la memoria 3D BiCS 8 QLC de 1Tb.

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