Demostración de Silicon Power SSD basada en Phison E31T

Demostración de Silicon Power SSD basada en Phison E31T

Aunque los SSD de consumo basados ​​en el controlador PS5026-E26 de Phison han estado en el mercado durante casi un año y medio, las unidades líderes en su clase todavía tienen un precio claramente superior y, hasta cierto punto, eso se debe a que siguen siendo una de las pocas opciones para un SSD PCIe 5.0. Pero parece que eso cambiará en los próximos trimestres, con la llegada de SSD basados ​​en el controlador PS5031-E31T de Phison, con al menos un cliente de Phison demostrando una unidad E31T en la sala de exposiciones de Computex. El controlador Phison PS5031-E31T utiliza dos núcleos Arm Cortex-R5 acelerados por el CoXProcessor Andes N25, al igual que su hermano mayor Phison PS5026-E26. Pero ahí es donde parecen terminar las principales similitudes de hardware. El nuevo controlador E31T es un controlador sin DRAM con cuatro canales NAND (16 objetivos CE) producido en uno de los procesos de 7 nm de TSMC, mientras que el E26 es un controlador de ocho canales fabricado en el nodo de producción de 12 nm de TSMC. Además de reducir los canales de memoria y el uso de DRAM para reducir costos, el E31T también adquiere un par de trucos nuevos al ser casi dos años más nuevo. En particular, el E31T presenta la tecnología de corrección de errores LDPC de séptima generación de Phison, a diferencia del LDPC Phison NVMe de quinta generación del E25. Comparación de controladores SSD E31T E27T E21T E26 E18 Segmento de mercado Consumidor primario Consumidor de gama alta Proceso de fabricación Núcleo de CPU de 7 nm 12 nm 12 nm 12 nm 12 nm 2x Cortex R5 1x Cortex R5 1x Cortex R5 2x Cortex R5 3x Cortex R5 Corrección de errores 7.ª generación LDPC 5.ª generación LDPC 4.ª generación LDPC LDPC de 5.ª generación LDPC de 4.ª generación DRAM No No No DDR4, LPDDR4 Interfaz de host DDR4 PCIe 5.0 x4 PCIe 4.0 x4 PCIe 4.0 x4 PCIe 5.0/s 8 canales, 1600 MT/s Capacidad máxima 8 TB 8 TB 4 TB 8 TB 8 TB Lectura secuencial 10,8 GB/s 7,4 GB/s 5,0 GB/s 14 GB/s 7,4 GB/s Escritura secuencial 10,8 GB/s 6,7 La propia Phison llama a su plataforma E31T «la primera plataforma convencional de 10 GB/s», que prácticamente proporciona un indicador de rendimiento para algunos de los próximos SSD PCIe Gen5 económicos. En cuanto al rendimiento aleatorio, estamos hablando de 1,5 millones de IOPS por segundo, en línea con el rendimiento que ofrecen algunos SSD PCIe Gen4 de nivel empresarial. Mientras tanto, un anuncio de Silicon Power en Computex indica que la compañía espera alcanzar al menos 12 GB/s con su unidad «US85». Lo cual, con 4 canales NAND, requeriría emparejar el controlador con NAND de 3200 MT/seg de última generación. Es una combinación un poco extraña dado el estado convencional y económico del controlador E31T, pero los ahorros en el controlador compatible con DRAM se pueden reinvertir en la NAND de la propia unidad. Y lo que es más importante, con 12 GB/s de lectura y escritura, el SSD US85 de Silicon Power podrá competir con las unidades anteriores basadas en E26 que todavía se venden en el mercado, lo que lleva este producto a un nivel completamente nuevo. Aunque Silicon Power deberá poder producir 3D NAND lo suficientemente rápido para satisfacer la demanda. Tanto Phison como Silicon Power esperan que el E31T comience a distribuirse en el cuarto trimestre, por lo que a principios del próximo año los SSD tradicionales deberían recibir un aumento de velocidad notable.

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