Samsung y SK hynix Eye 1c DRAM como opción para la memoria HBM4, TSMC Preps HBM4 Base muere en 12 nm y 5 nm

Samsung y SK hynix Eye 1c DRAM como opción para la memoria HBM4, TSMC Preps HBM4 Base muere en 12 nm y 5 nm

El desarrollo del estándar de memoria HBM4 de próxima generación está en pleno apogeo mientras TSMC, Samsung y SK Hynix preparan los últimos nodos de computación y DRAM. TSMC presenta nodos de 12 nm y 5 nm para la base de memoria HBM4, Samsung DRAM Path y SK hynix Go 1c Tanto Samsung como SK hynix están en la carrera para ofrecer el estándar de memoria HBM4 de próxima generación. Los gigantes coreanos mostraron sus planes iniciales de debutar en 2025-2026. Hasta ahora, Samsung ha considerado utilizar tecnologías de empaquetado 3D y pilas de hasta 16 Hi para un aumento sin precedentes en las capacidades de VRAM y el ancho de banda de la memoria, mientras que SK hynix también planea incorporar nuevas tecnologías de empaquetado para sus propias soluciones HBM4. Según las últimas fuentes de la industria citadas por ZDNet Korea, se afirma que Samsung y SK hynix planean utilizar 1c DRAM para alimentar la memoria HBM4 de próxima generación. Se informa que Samsung inicialmente planeó usar su DRAM 1b (nano DRAM clase 10 de quinta generación) para HBM4, que comenzó su producción en mayo del año pasado, mientras que sus productos HBM3E existentes se basan en DRAM 1a. La compañía espera recuperar el impulso perdido desde que se informó recientemente que Samsung no pasó las pruebas de calificación para las últimas GPU de IA de NVIDIA, como Hopper y Blackwell. Una de las principales razones destacadas para utilizar 1c DRAM es que Samsung lo ve por detrás de sus rivales en términos de consumo de energía. Por lo tanto, se utilizará DRAM 1c en los productos HBM4 12-Hi y 16-Hi. Se espera que la empresa construya su primera línea de producción en masa para DRAM 1c para finales de 2024, y la capacidad de producción total será de unas 3000 unidades por mes. Los datos finales del producto HBM4 tampoco deberían ser muy diferentes. Algunas fuentes incluso destacan que Samsung podría iniciar la producción en masa antes de mediados de 2025, pero esto aún no está confirmado. SK hynix planea utilizar DRAM 1b para productos de memoria HBM4, mientras que el fabricante utilizará DRAM 1c para la memoria HBM4E de próxima generación. Pero eso no es todo: durante el Simposio Europeo de Tecnología TSMC 2024, el fabricante de semiconductores informó que, debido a las complejidades de mover la memoria HBM4 de interfaces de 1024 bits a 2048 bits, se fabricarán nuevos troqueles base utilizando el proceso N12 y N5. «Estamos trabajando con socios clave de memorias de HBM (Micron, Samsung, SK Hynix) en nodos avanzados para la integración completa de HBM4», dijo el director senior de plataforma de diseño y tecnología de TSMC. «El rentable chip base N12FFC+ puede igualar el rendimiento de HBM, y el chip base N5 puede proporcionar aún más lógica con mucha menos potencia que las velocidades de HBM4». «Trabajamos con socios de EDA como Cadence, Synopsys y Ansys para certificar la integridad de la señal del canal HBM4, IR/EM y precisión térmica», explicó el representante de TSMC. TSMC a través de Anandtech Los nuevos núcleos se utilizarán para fabricar productos de memoria con pilas de hasta 16Hi aprovechando las tecnologías CoWoS, como los paquetes CoWoS-L y CoWoS-R recientemente revelados. También aprovechará un nuevo proceso de integridad de la señal del canal, entre otros cambios clave. Tener un nodo de 5 nm ofrecerá beneficios de potencia, rendimiento y densidad, por lo que esperamos el lanzamiento de productos de memoria HBM4 de próxima generación el próximo año para aceleradores de GPU de próxima generación. Comparte esta historia Facebook Twitter

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