Samsung busca alcanzar más de 1.000 capas de NAND a través del nuevo Hafnia Ferroelectrics

Los planes de Samsung Electronics de alcanzar un objetivo de almacenamiento de «petabytes» parecían poco realistas hace algún tiempo, pero la compañía ahora está explorando el uso de nuevos materiales «ferroeléctricos» para alcanzar potencialmente el objetivo con más de 1000 capas de tecnología NAND. El objetivo de un SSD de petabyte no parece muy lejano, ya que los investigadores presentan una nueva solución que podría ayudar a empresas como Samsung a lograr la tecnología NAND de 1000 capas. Recientemente, hablamos sobre los planes de Samsung para el futuro de los mercados NAND, incluido el lanzamiento del noveno. Flash V-NAND de generación, que vendrá con hasta 290 capas apiladas una encima de otra, estableciendo un nuevo punto de referencia en el mercado. Es importante destacar que el gigante coreano también anunció un producto NAND con un impresionante apilamiento de 430 capas (V-NAND de décima generación) que se espera que se lance el próximo año. Con dicho equipo a bordo, Samsung Electronics planea cruzar el hito de los 1000 TB lo antes posible, pero hay otro toque interesante. En el Simposio de Tecnología VLSI en Honolulu, se espera que investigadores del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea (KAIST) presenten sus hallazgos sobre Hafnia Ferroelectrics, una clase de materiales que exhiben ferroelectricidad bajo ciertas condiciones. Han despertado un enorme interés en los últimos tiempos, especialmente por parte de la industria de TI, ya que sus propiedades ferroeléctricas podrían permitir el desarrollo de condensadores y dispositivos de memoria más pequeños y eficientes. Así se resume el trabajo que se presentará a partir de los detalles iniciales de la conferencia: Análisis en profundidad de los ferroeléctricos de Hafnia como habilitador clave para baja tensión y QLC 3D VNAND más allá de la capa 1K Demostración y modelado experimental En este trabajo, demostrar experimentalmente una mejora notable en el rendimiento, mejorada por la interacción de la captura de carga y los efectos de conmutación ferroeléctrica (FE) en la capa intermedia de puerta diseñada con banda metálica (BE-G.IL) -capa intermedia de canal FE (Ch.IL)-Si (MIFIS) FeFET. MIFIS con BE-G.IL (BE-MIFIS) facilita la «retroalimentación positiva» maximizada (Posi. FB.) de los efectos dobles, lo que lleva a una tensión de funcionamiento baja (VPGM/VERS: +17/-15 V), a ‘ ventana de memoria amplia (MW: 10,5 V) y perturbada de manera insignificante con un voltaje de polarización de 9 V. Además, nuestro modelo propuesto verifica que la mejora del rendimiento del BE-MIFIS FeFET se atribuye a la posición intensificada. PENSIÓN COMPLETA. Este trabajo demuestra que hafnia FE puede desempeñar un papel clave en la ampliación del desarrollo tecnológico de 3D VNAND, que actualmente se acerca a un estado de estancamiento. – Simposio de tecnología VLSI Es importante señalar que Samsung no participa directamente en el proceso de investigación y desarrollo, pero se dice que las personalidades involucradas están directamente relacionadas con el gigante coreano. Si bien no está claro si Hafnia Ferroelectrics conducirá a la creación de dispositivos de almacenamiento de petabytes, podría desempeñar un papel dominante y, en última instancia, llevarnos a la meta. Comparte esta historia Facebook Twitter

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