Samsung presenta la memoria LPDDR5X de 10,7 Gbps

Samsung presenta la memoria LPDDR5X de 10,7 Gbps

Samsung anunció hoy que ha desarrollado una generación aún más rápida de memoria LPDDR5X que alcanzará velocidades LPDDR5X-10700. Se espera que la memoria actualizada ofrezca un rendimiento un 25 % mejor y una capacidad un 30 % mayor que los dispositivos DRAM móviles existentes de la empresa. Los nuevos chips también parecen ser tangiblemente más rápidos que la memoria LPDDR5X de Micron y los chips LPDDR5T de SK Hynix. Los próximos dispositivos LPDDR5X de Samsung cuentan con una velocidad de transferencia de datos de 10,7 GT/s y una capacidad máxima de pila de 32 GB. Esto permite a los clientes de Samsung equipar sus últimos teléfonos inteligentes o portátiles con 32 GB de memoria de bajo consumo utilizando un único paquete DRAM, simplificando significativamente sus diseños. Samsung dice que 32 GB de memoria serán particularmente útiles para las aplicaciones de IA en el dispositivo. Samsung está utilizando la última generación de tecnología de proceso DRAM de clase 12 nm para fabricar sus dispositivos LPDDR5X-10700, lo que permite a la compañía alcanzar el tamaño de dispositivo LPDDR más pequeño de la industria, dijo el fabricante de memoria. En términos de eficiencia energética, Samsung dice que ha integrado múltiples funciones nuevas de ahorro de energía en los nuevos dispositivos LPDDR5X. Estos incluyen un sistema de escalamiento de energía optimizado que ajusta el consumo de energía según la carga de trabajo e intervalos extendidos de modo de bajo consumo que extienden los períodos de ahorro de energía. Estas innovaciones en conjunto mejoran la eficiencia energética en un 25% con respecto a las versiones anteriores, beneficiando a las plataformas móviles al extender la vida útil de la batería, dijo la compañía. «A medida que aumenta la demanda de memoria de bajo consumo y alto rendimiento, se espera que LPDDR DRAM expanda sus aplicaciones principalmente desde la movilidad a otras áreas que tradicionalmente requieren mayor rendimiento y confiabilidad, como PC, aceleradores, servidores y automóviles», dijo YongCheol Bae , vicepresidente ejecutivo de planificación de productos de memoria para el negocio de memorias de Samsung Electronics. «Samsung continuará innovando y ofreciendo productos optimizados para la próxima era de inteligencia artificial en dispositivos a través de una estrecha colaboración con los clientes». Samsung planea iniciar la producción en masa de la DRAM LPDDR5X de 10,7 GT/s en la segunda mitad de este año. Esto sigue a una serie de pruebas de compatibilidad con procesadores de aplicaciones móviles y fabricantes de dispositivos para garantizar una integración perfecta en productos futuros.

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